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SM341中文資料Polyfet數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SM341
廠商型號(hào)

SM341
功能描述

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
文件大小

36.59 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Polyfet RF Devices
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Polyfet

中文名稱

Polyfet RF Devices官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2025-1-11 23:00:00

SM341規(guī)格書詳情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Militry Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet process features low feedback and output capacitances resulting in high Ft transistors with high input impedance and high efficiency.

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

150.0 Watts Single Ended

Package Style AM

HIGH EFFICIENCY, LINEAR HIGH GAIN, LOW NOISE

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    SM341

  • 制造商：

    POLYFET

  • 制造商全稱：

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述：

    SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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