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SMBT3904DW1T1G中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SMBT3904DW1T1G
廠商型號

SMBT3904DW1T1G

功能描述

Dual General Purpose Transistors

文件大小

138.28 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-1 16:10:00

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SMBT3904DW1T1G規(guī)格書詳情

The MBT3904DW1 and MBT3904DW2 devices are a spin?off of our popular SOT?23/SOT?323 three?leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT?363 six?leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low?power surface mount applications where board space is at a premium.

Features

? hFE, 100?300

? Low VCE(sat), ≤ 0.4 V

? Simplifies Circuit Design

? Reduces Board Space

? Reduces Component Count

? Available in 8 mm, 7?inch/3,000 Unit Tape and Reel

? S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101

Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SMBT3904DW1T1G

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR NPN 40V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
23+
SOT-363
56316
正規(guī)渠道,免費送樣。支持賬期,BOM一站式配齊
詢價
ON
SOT-363
39090
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
詢價
ON
24+
SOT-363
45000
市場最低 原裝現(xiàn)貨 假一罰百 可開原型號
詢價
NXP
24+
SOT363
5000
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
詢價
ON(安森美)
6000
詢價
ON
24+
SOT-363
56000
公司進口原裝現(xiàn)貨 批量特價支持
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ON
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
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NXP
23+
SOT363
20000
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ON/安森美
22+
SOT-363
45000
原裝正品
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ON
24+
SOT363
9000
只做原裝 假一賠十
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