首頁>SMBT3906DW1T1G>芯片詳情

SMBT3906DW1T1G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR PNP 40V鼎欣微電子

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    SMBT3906DW1T1G

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON/安森美

  • 庫存數(shù)量：

    20000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT363

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    21+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-18 9:02:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：SMBT3906DW1T1G品牌：ON/安森美

只做正品原裝現(xiàn)貨

  • 芯片型號(hào)：

    SMBT3906DW1T1G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    6 頁

  • 文件大?。?/span>

    132.5 kb

  • 資料說明：

    Dual General Purpose Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SMBT3906DW1T1G

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR PNP 40V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市鼎欣微電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    18813574186

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83228762

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)紅上步工業(yè)區(qū)102棟6004

相近型號(hào)