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SMG2306NE	文件：483.61 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SMG2306NE	文件：597.25 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Mos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SMG2306NE_15	文件：597.25 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Mos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SPN2306W	文件：229.77 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. 擎力科技擎力科技股份有限公司	SYNC-POWER
SSF2306	文件：493.97 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SSF2306	文件：332.23 Kbytes Page：4 Pages	30VN-ChannelMOSFET DESCRIPTION TheSSF2306usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V. GENERALFEATURES ●VDS=30V,ID=5A RDS(ON)	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
SSF2306	文件：309.18 Kbytes Page：5 Pages	Batteryprotection DESCRIPTION TheSSF2306usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V. GENERALFEATURES ●VDS=30V,ID=5A RDS(ON)	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司	SILIKRON
SSF2306B	文件：309.9 Kbytes Page：5 Pages	Batteryprotection DESCRIPTION TheSSF2306BusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V. GENERALFEATURES ●VDS=29V,ID=5A RDS(ON)	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司	SILIKRON
SSM2306	文件：416.07 Kbytes Page：16 Pages	2W,Filterless,Class-DStereoAudioAmplifier	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
SSM2306	文件：503.37 Kbytes Page：16 Pages	2W,Filterless,Class-DStereoAudioAmplifier	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
SSM2306A	文件：1.11775 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSM2306CPZ-REEL	文件：416.07 Kbytes Page：16 Pages	2W,Filterless,Class-DStereoAudioAmplifier	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
SSM2306CPZ-REEL	文件：503.37 Kbytes Page：16 Pages	2W,Filterless,Class-DStereoAudioAmplifier	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
SSM2306N	文件：155.06 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERMOSFET	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
ST2306	文件：150.22 Kbytes Page：8 Pages	NChannelEnhancementModeMOSFET DESCRIPTION TheST2306istheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorisproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology.Thishigh-densityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuitedforlowvoltageappli	STANSON Stanson Technology	STANSON
ST2306SRG	文件：493.29 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
STS2306	文件：646.68 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-23package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STS2306	文件：1.0517 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverters ?LoadSwitchforPortableApplications	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
STS2306A	文件：145.13 Kbytes Page：7 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SurfaceMountPackage. ●ESDProtected.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STS2306E	文件：141.87 Kbytes Page：7 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SurfaceMountPackage. ●ESDProtected.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
SMG2306NE
制造商：
SECOS
制造商全稱：
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Mos.FET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	SMG2306NE	SECOS	2019+PB	SC-59	99080	原裝正品可含稅交易	詢價
綠盛電子(香港)有限公司	SMG2306NE	SECOS	36118	SOT23-3	2015	專業(yè)代理MOS管,型號齊全,公司優(yōu)勢產(chǎn)品	詢價
深圳誠思涵科技有限公司	SMG2306NE	Secos	19+	SC-59	200000		詢價
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	SMG2306NE	SECOS	24+	SOT23-3	363365	MOS管大量供應(yīng)優(yōu)勢產(chǎn)品	詢價
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	SMG2306NE	Secos	2023+	SC-59	80000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	SMG2306NE	Secos	24+	SC-59	18800	絕對原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!	詢價
深圳市宇創(chuàng)芯科技有限公司	SMG2306NE	SECOS	22+	SC-59	9600	原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實(shí)單!	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	SMG2306NE	VBSEMI/臺灣微碧	23+	SC-59	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市英瑞爾電子科技有限公司	SMG2306NE	Secos	24+	SC-59	99080	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市大聯(lián)智電子有限公司	SMG2306NE	SECOS	22+	SC-59	354000		詢價

更多SMG2306NE供應(yīng)商更新時間2025-1-11 10:00:00

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