SMMBTH10-4LT3G 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 ONSEMI/安森美半導體

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1+	面議

廠家型號：
SMMBTH10-4LT3G
產品分類：
芯片
生產廠商：
ON
庫存數量：
25000
產品封裝：
SOT-23 (TO-236)
生產批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-2-9 11:00:00

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原廠料號：SMMBTH10-4LT3G品牌：ON

ON全系列可訂貨

SMMBTH10-4LT3G是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商ON/onsemi生產封裝SOT-23 (TO-236)/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的SMMBTH10-4LT3G晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號：
SMMBTH10-4LT3G
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內容頁數：
5 頁
文件大?。?/span>
97.09 kb
資料說明：
VHF/UHF Transistor

產品屬性

類型
描述
產品編號：
SMMBTH10-4LT3G
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
托盤
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
25V
頻率 - 躍遷：
800MHz
功率 - 最大值：
225mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 4mA，10V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3

供應商

企業(yè)：
深圳市星辰微電科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
吳先生
手機：
17375148621
詢價：
電話：
0755-82713279
地址：
深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)紅荔路3011號上步工業(yè)區(qū)13棟上步工業(yè)區(qū)501棟501棟411

SMMBTH10-4LT3G 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 ONSEMI/安森美半導體

SMMBTH10-4LT3G

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