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SMOS44N50	文件：181.78 Kbytes Page：2 Pages	POWER MOSFETS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
SMOS44N50	文件：187.35 Kbytes Page：2 Pages	Power MOSFETs	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司	SIRECTIFIER
SMOS44N50D2	文件：183.77 Kbytes Page：2 Pages	Power MOSFETs	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司	SIRECTIFIER
SMOS44N50D3	文件：183.77 Kbytes Page：2 Pages	Power MOSFETs	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司	SIRECTIFIER
FDA44N50	文件：275.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FDH44N50	文件：351.34 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=44A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested DESCRIPTION motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FDH44N50	文件：169.18 Kbytes Page：6 Pages	44A,500V,0.12Ohm,N-ChannelSMPSPowerMOSFET Features ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandHighReapplieddv/dtRuggedness ?ReducedrDS(ON) ?ReducedMillerCapacitanceandLowInputCapacitance ?ImprovedSwitchingSpeedwithLowEMI ?175°CRatedJunctionTemperature	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IXFE44N50Q	文件：559.15 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,Highdv/dt Features ?ConformstoSOT-227Boutline ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance ?Fastintrins	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH44N50P	文件：301.66 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode VDSS=500V ID25=44A RDS(on)≤140m? trr≤200ns Features Internationalstandardpackages UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH44N50P	文件：325.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFK44N50	文件：328.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=44A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFK44N50	文件：114.27 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features Internationalstandardpackages MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification SOT-227BminiBLOCwithaluminiumnitrideisolation LowRDS(on)HDMOS?process UnclampedInductiveSwitching(UIS	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK44N50	文件：93.51 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK44N50F	文件：99.15 Kbytes Page：2 Pages	HiPerRFPowerMOSFETsF-ClassMegaHertzSwitchingSingleMOSFETDie SingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,LowQg,LowIntrinsicRgHighdV/dt,Lowtrr Features RFCapableMOSFETs DoubleMetalProcessforLowGateResistance AvalancheRated LowPackageInductance FastIntrinsicRectifier	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK44N50F	文件：328.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=44A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFK44N50P	文件：301.66 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode VDSS=500V ID25=44A RDS(on)≤140m? trr≤200ns Features Internationalstandardpackages UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK44N50P	文件：328.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=44A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.14Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFK44N50Q	文件：328.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=44A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFK44N50Q	文件：581.16 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-CLASS	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN44N50	文件：114.27 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features Internationalstandardpackages MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification SOT-227BminiBLOCwithaluminiumnitrideisolation LowRDS(on)HDMOS?process UnclampedInductiveSwitching(UIS	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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詳細參數(shù)

型號：
SMOS44N50
功能描述：
POWER MOSFETS

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	SMOS48N50	SIRECTIFI	專業(yè)模塊	MODULE	8513	模塊原裝主營-可開原型號增稅票	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	SMOS48N50	SIRECTIFI	24+	SOT227	2050	公司大量全新原裝正品隨時可以發(fā)貨	詢價
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更多SMOS44N50供應(yīng)商更新時間2024-12-26 18:53:00

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