首頁>SMUN5211DW1T1G>詳情

SMUN5211DW1T1G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363明嘉萊六部

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    SMUN5211DW1T1G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI

  • 庫存數(shù)量：

    518000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SMD

  • 生產(chǎn)批號：

    22+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-14 17:02:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：SMUN5211DW1T1G品牌：ONSEMI

明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨

  • 芯片型號：

    SMUN5211DW1T1G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    155.96 kb

  • 資料說明：

    Dual NPN Bias Resistor Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    SMUN5211DW1T1G

  • 功能描述：

    TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路

  • 系列：

    *

  • 標準包裝：

    1

  • 系列：

    -

  • 晶體管類型：

    NPN 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    1A 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    30V

  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：

    200mV @ 100mA，1A 電流 -

  • 集電極截止（最大）：

    100nA 在某 Ic、Vce

  • 時的最小直流電流增益(hFE)：

    300 @ 500mA，5V 功率 -

  • 最大：

    710mW 頻率 -

  • 轉(zhuǎn)換：

    100MHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 其它名稱：

    MMBT489LT1GOSDKR

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市明嘉萊科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    劉小姐/王小姐

  • 手機：

    13392418090

  • 詢價：
  • 電話：

    13392418090

  • 傳真：

    0755-83939536

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振華路118號華麗大院西座1棟518

相近型號