SMUN5213DW1T1G_PULSECORE/安森美_TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363鵬順微電子

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  • 廠家型號(hào):

    SMUN5213DW1T1G

  • 產(chǎn)品分類:

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    PULSECORE/安森美

  • 庫存數(shù)量:

    8600

  • 產(chǎn)品封裝:

    原廠原包裝

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    2022+

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時(shí)間:

    2024-11-16 15:00:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):SMUN5213DW1T1G品牌:ON Semiconductor

全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷

  • 芯片型號(hào):

    SMUN5213DW1T1G

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    161.54 kb

  • 資料說明:

    Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 47 K , R2 = 47 K

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào):

    SMUN5213DW1T1G

  • 功能描述:

    TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路

  • 系列:

    *

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1

  • 系列:

    -

  • 晶體管類型:

    NPN 電流 -

  • 集電極(Ic)(最大):

    1A 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿(最大):

    30V

  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):

    200mV @ 100mA,1A 電流 -

  • 集電極截止(最大):

    100nA 在某 Ic、Vce

  • 時(shí)的最小直流電流增益(hFE):

    300 @ 500mA,5V 功率 -

  • 最大:

    710mW 頻率 -

  • 轉(zhuǎn)換:

    100MHz

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 其它名稱:

    MMBT489LT1GOSDKR

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市鵬順微電子科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    楊先生

  • 手機(jī):

    13682380609

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-88850894/13682380609

  • 傳真:

    0755-88850894

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)賽格電子市場69樓6904B-6905A室