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SMUN5312DW1T1G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363寶芯創(chuàng)電子

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  • 廠家型號：

    SMUN5312DW1T1G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON/安森美

  • 庫存數(shù)量：

    12500

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT363

  • 生產(chǎn)批號：

    18+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-5 10:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：SMUN5312DW1T1G品牌：ON/安森美

全新原裝正品,本司專業(yè)配單,大單小單都配

  • 芯片型號：

    SMUN5312DW1T1G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    34 頁

  • 文件大?。?/span>

    270.41 kb

  • 資料說明：

    Dual Bias Resistor Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    SMUN5312DW1T1G

  • 功能描述：

    TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路

  • 系列：

    *

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 系列：

    -

  • 晶體管類型：

    NPN 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    1A 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    30V

  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：

    200mV @ 100mA，1A 電流 -

  • 集電極截止（最大）：

    100nA 在某 Ic、Vce

  • 時的最小直流電流增益(hFE)：

    300 @ 500mA，5V 功率 -

  • 最大：

    710mW 頻率 -

  • 轉(zhuǎn)換：

    100MHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 其它名稱：

    MMBT489LT1GOSDKR

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    田楨

  • 手機(jī)：

    18185609052

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83228690

  • 傳真：

    0755-83660820

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1002號賽格廣場4503B

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