SN75372DR集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
SN75372DR |
| 參數(shù)屬性 | SN75372DR 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
| 功能描述 | DUAL MOSFET DRIVER |
| 封裝外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 文件大小 |
735.45 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
19 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Texas Instruments |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
TI1【德州儀器】 |
| 中文名稱 | 德州儀器官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-20 9:50:00 |
| 人工找貨 | SN75372DR價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
SN75372DR規(guī)格書詳情
SN75372DR屬于集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器。由德州儀器制造生產(chǎn)的SN75372DR柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
SN75372DR
- 制造商：
Texas Instruments
- 類別：
集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 包裝：
管件
- 驅(qū)動(dòng)配置：
低端
- 通道類型：
同步
- 柵極類型：
N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電：
4.75V ~ 5.25V，4.75V ~ 24V
- 邏輯電壓?- VIL，VIH：
0.8V，2V
- 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：
500mA，500mA
- 輸入類型：
反相
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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