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SPA06N60C3

CoolMOS Power Transistor

CoolMOSPowerTransistor Features ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Highpeakcurrentcapability ?Ultraloweffectivecapacitances ?Extremedv/dtrated ?Improvedtransconductance ?Fullyisolatedpackag

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPA06N60C3

Isc N-Channel MOSFET Transistor

?FEATURES ?WithTO-220Fpackage ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?Reducedswitchingandconductionlosses ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplica

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SPA06N60C3

CoolMOSTM Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPA06N60C3_10

CoolMOSTM Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

06N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

AIHD06N60R

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AIHD06N60RF

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

CJP06N60

PowerfiledEffectTransistor

FEATURES ◆RobustHighVoltageTermination ◆AvalancheEnergySpecified ◆Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoa DiscreteFastRecoveryDiode ◆DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits ◆IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

CMT06N60

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

CHAMPChampion Microelectronic Corp.

虹冠虹冠電子工業(yè)股份有限公司

CMT06N60

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic

CHAMPChampion Microelectronic Corp.

虹冠虹冠電子工業(yè)股份有限公司

詳細參數

  • 型號：

    SPA06N60

  • 功能描述：

    MOSFET COOL MOS N-CH 650V 6.2A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON/英飛凌
21+
TO220-3
20000
原裝現貨假一罰十
 詢價
INFINEON/英飛凌
2021+
TO-220F
18168
原裝進口假一罰十
 詢價
INFINEON/英飛凌
19+
TO-220
695
進口原裝假一賠十支持含稅
 詢價
Infineon(英飛凌)
2023+
TO-220F(TO-220IS)
4550
全新原裝正品
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
TO-220F
7828
支持大陸交貨,美金交易。原裝現貨庫存。
 詢價
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現貨價秒殺全網
 詢價
Infineon
17+
TO-220F
6200
詢價
INFINEO
2020+
TO220
10
百分百原裝正品 真實公司現貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
Infineon
23+
TO-220AB
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
INFINEON
23+
TO-220F
7936
詢價
更多SPA06N60供應商 更新時間2025-3-3 16:20:00

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