首頁(yè)>SPA11N80C3>芯片詳情

SPA11N80C3_INFINEON/英飛凌_MOSFET MOSFET N-Channel品優(yōu)時(shí)代一部

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    SPA11N80C3

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    INFINEON/英飛凌

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    19700

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO-263

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    2019

  • 庫(kù)存類型:

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-12-25 14:20:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào):SPA11N80C3品牌:INFINEON

INFINEON品牌專業(yè)原裝優(yōu)質(zhì)

  • 芯片型號(hào):

    SPA11N80C3

  • 規(guī)格書(shū):

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    13 頁(yè)

  • 文件大小:

    677.4 kb

  • 資料說(shuō)明:

    Cool MOS??Power Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào):

    SPA11N80C3

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFET N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市品優(yōu)時(shí)代科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    黃小姐

  • 手機(jī):

    18025335698

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-23612326\18025335698

  • 傳真:

    0755-23612326

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)振興路華康大廈2棟,402-419