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SPB02N60C3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SPB02N60C3
廠商型號(hào)

SPB02N60C3
功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET
文件大小

2.03131 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】

中文名稱

微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-27 10:29:00

SPB02N60C3規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive

Requirement

? Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

? Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    SPB02N60C3

  • 功能描述：

    MOSFET COOL MOS N-CH 650V 1.8A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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