首頁(yè)>SPB02N60C3>規(guī)格書(shū)詳情

SPB02N60C3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SPB02N60C3
廠商型號(hào)

SPB02N60C3
功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET
文件大小

2.03131 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】

中文名稱

微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-3-10 10:42:00
人工找貨

SPB02N60C3價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨

SPB02N60C3規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

? Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive

Requirement

? Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

? Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    SPB02N60C3

  • 功能描述：

    MOSFET COOL MOS N-CH 650V 1.8A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INFINEON
10+
TO-263
15632
詢價(jià)
INFINE0N
23+
TO-263
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
INFINEON
24+
TO-263
6000
公司渠道現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON
TO263
15620
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
TO-263
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON
23+
TO-263
7500
原廠原裝正品
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
TO-263
8498
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
 詢價(jià)
INFINEON
23+
TO-263
7936
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
22+
TO-263
60620
5000
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
21+
SOT263
23600
十年以上分銷商原裝進(jìn)口件服務(wù)型企業(yè)0755-83790645
 詢價(jià)

相關(guān)庫(kù)存

更多