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SPB100N08S2L-07中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
SPB100N08S2L-07 |
| 功能描述 | OptiMOS Power-Transistor |
| 文件大小 |
310.26 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-12 10:18:00 |
| 人工找貨 | SPB100N08S2L-07價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 型號：
SPB100N08S2L-07
- 功能描述：
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
OptiMOS™
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
H&D |
2020+ |
N/A |
155 |
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詢價(jià) | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
TO-263 |
7936 |
詢價(jià) | |||
INF |
2022+ |
SOT263 |
14500 |
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品 |
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INFINEON/英飛凌 |
21+ |
TO263-3-2 |
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ADI |
24+ |
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INFINEON |
24+ |
P-TO263-3-2 |
8866 |
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JST/日壓 |
22+ |
連接器 |
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22+ |
NA |
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23+ |
TO-263 |
11846 |
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