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SPB20N60C3中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SPB20N60C3
廠商型號(hào)

SPB20N60C3

功能描述

Cool MOS Power Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

20N60C3

封裝外殼

TO-263-3

文件大小

314.6 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-27 15:24:00

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SPB20N60C3規(guī)格書(shū)詳情

Feature

? New revolutionary high voltage technology

? Worldwide best RDS(on) in TO 220

? Ultra low gate charge

? Periodic avalanche rated

? Extreme dv/dt rated

? High peak current capability

? Improved transconductance

? P-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SPB20N60C3

  • 功能描述:

    MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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