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SPB80N06S2L-11中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
廠商型號(hào) |
SPB80N06S2L-11 |
功能描述 | N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
文件大小 |
1.05682 Mbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | VBsemi Electronics Co.,Ltd |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】 |
中文名稱(chēng) | 微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-24 23:21:00 |
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
SPB80N06S2L-11
- 功能描述:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- RoHS:
否
- 類(lèi)別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
OptiMOS™
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門(mén)
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類(lèi)型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
infineon |
24+ |
P-TO263-3-2 |
16800 |
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!? |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON |
21+ |
TO-263 |
30490 |
原裝現(xiàn)貨庫(kù)存 |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
NA/ |
607 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEO |
2020+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢(xún)價(jià) | ||
VBsemi/臺(tái)灣微碧 |
P-TO263-3-2 |
893993 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢(xún)價(jià) | |||
VBsemi |
24+ |
TO263 |
18000 |
原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
P-TO263-3-2 |
56000 |
公司進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 批量特價(jià)支持 |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
P-TO263-3 |
8866 |
詢(xún)價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
2022+ |
P-TO263-3 |
48000 |
只做原裝,原裝,假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo) |
詢(xún)價(jià) |