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SPD02N80C3

N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRITION ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤2.7? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPD02N80C3

CoolMOS Power Transistor

Features ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplications

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD02N80C3

CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD02N80C3

CoolMOSTM Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD02N80C3_08

CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD02N80C3_13

CoolMOSTM Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

02N80C3

PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

ISPD02N80C3

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤2.7? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPA02N80C3

PowerMOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?IsolatedCentralMountingHole ?FastSwitching ?EaseofParalleling ?SimpleDriveRequirements ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SPA02N80C3

IscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?WithTO-220Fpackage ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Reducedswitchingandconductionlosses ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SPD02N80C3

  • 功能描述：

    MOSFET COOL MOS N-CH 800V 2A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
INF
19+
TO-252-2
13000
詢價(jià)
原裝
24+
標(biāo)準(zhǔn)
50819
熱賣原裝進(jìn)口
 詢價(jià)
INFINEON
2020+
TO-252
18600
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
2021+
SOT-252
17300
原裝進(jìn)口假一罰十
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
19+
TO-252
4000
進(jìn)口原裝支持含稅
 詢價(jià)
INFINEON
23+
TO252
6996
只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
TO-252
1800
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
N/A
12000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
INFINEON
2019
TO-252
19700
INFINEON品牌專業(yè)原裝優(yōu)質(zhì)
 詢價(jià)
英飛凌
23+
N/A
8880
正規(guī)渠道,只有原裝!
 詢價(jià)
更多SPD02N80C3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-2 16:04:00

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