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08P06P

SIPMOS?Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

F08P06S

Dual-PEnhancementMOSFET

Features ?VDS=-60V,ID=-8A ?RDS(ON)=570mΩ@VGS=-10V(Typ.) ?RDS(ON)=105mΩ@VGS=-4.5V(Typ.) MainApplications ?BatteryProtection ?LoadSwitch ?PowerManagement

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

SPB08P06P

iscP-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPB08P06P

SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPB08P06PG

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SPB08P06PG

SIPMOS?Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPB08P06PG

SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD08P06P

SIPMOS?Power-TransistorFeaturesP-ChannelEnhancementmode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD08P06P

SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD08P06PG

SIPMOS?Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD08P06PG

SIPMOS?Power-TransistorFeaturesP-ChannelEnhancementmode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP08P06P

P-ChannelEnhancementmodeAvalancherateddv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP08P06P

SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP08P06PG

P-ChannelEnhancementmodeAvalancherateddv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP08P06PH

SIPMOS?Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP08P06PH

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SPU08P06P

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SPU08P06P

SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SPD08P06P G

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 60V 8.8A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON
24+
PG-TO252-3
8866
詢價(jià)
INF
23+
TO-252
10000
原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
Infineon
11+
2500
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)
 詢價(jià)
I
24+
TO-252
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
 詢價(jià)
Infineon
1716+
?
7500
只做原裝進(jìn)口,假一罰十
 詢價(jià)
Infineon
18+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
 詢價(jià)
INFINE0N
23+
TO-252
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
INFINEON
22+23+
TO-252
41577
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINOEN
1822+
TO252
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
 詢價(jià)
INFINEON
TO-252
30216
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
 詢價(jià)
更多SPD08P06P G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-13 13:30:00

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