SPD15N06S2L-64_INFINEON/英飛凌_MOSFET N-CH 55V 19A DPAK納艾斯

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  • 廠(chǎng)家型號(hào):

    SPD15N06S2L-64

  • 產(chǎn)品分類(lèi):

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商:

    INFINEON/英飛凌

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    80000

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO252

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    2020+

  • 庫(kù)存類(lèi)型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-10-24 22:30:00

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原廠(chǎng)料號(hào):SPD15N06S2L-64品牌:INFINEO

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  • 芯片型號(hào):

    SPD15N06S2L-64

  • 規(guī)格書(shū):

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng):

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱(chēng):

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    8 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    268.36 kb

  • 資料說(shuō)明:

    OptiMOS Power-Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào):

    SPD15N06S2L-64

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

  • RoHS:

  • 類(lèi)別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    OptiMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市納艾斯科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    肖小姐

  • 手機(jī):

    13117514091

  • 詢(xún)價(jià):
  • 電話(huà):

    0755-/82781136/2707495

  • 傳真:

    0755-82707495

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格大廈4010B