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SPD18P06P_INFINEON/英飛凌_MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252正納電子一部

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  • 廠家型號(hào):

    SPD18P06P

  • 產(chǎn)品分類:

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    INFINEON/英飛凌

  • 庫存數(shù)量:

    20094

  • 產(chǎn)品封裝:

    NA

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    23+

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時(shí)間:

    2024-12-25 15:46:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):SPD18P06P品牌:Infineon(英飛凌)

正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持

  • 芯片型號(hào):

    SPD18P06P

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    10 頁

  • 文件大?。?/span>

    567.8 kb

  • 資料說明:

    SIPMOS? Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào):

    SPD18P06P

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    SIPMOS®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市正納電子有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    楊先生/楊小姐

  • 手機(jī):

    15986777949

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-23901175

  • 傳真:

    0755-83200684

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)振興路113號(hào)新欣大廈B座318