SPD18P06P中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
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廠商型號(hào) |
SPD18P06P |
功能描述 | SIPMOS Power-Transistor |
文件大小 |
117.35 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱(chēng) | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-26 18:58:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
SPD18P06P
- 功能描述:
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252
- RoHS:
是
- 類(lèi)別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
SIPMOS®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門(mén)
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類(lèi)型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEO |
2016+ |
TO-252 |
6528 |
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十 |
詢(xún)價(jià) | ||
TI |
0519+ |
22 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢(xún)價(jià) | |||
TI |
2020+ |
TI |
22 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可 |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
TO-252 |
30000 |
全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-252 |
13200 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
08+ |
TO-252 |
135 |
詢(xún)價(jià) | |||
INF |
1535+ |
813 |
詢(xún)價(jià) | ||||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
19850 |
原裝正品,假一賠十 |
詢(xún)價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
37500 |
十年專(zhuān)營(yíng)原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢(xún)價(jià) |