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SPD30N03S2L-10G中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SPD30N03S2L-10G
廠商型號(hào)

SPD30N03S2L-10G

功能描述

OptiMOS Power-Transistor

文件大小

637.45 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-26 9:48:00

SPD30N03S2L-10G規(guī)格書(shū)詳情

Feature

? N-Channel

? Enhancement mode

? Logic Level

? Low On-Resistance RDS(on)

? Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)

? Superior thermal resistance

? 175°C operating temperature

? Avalanche rated

? dv/dt rated

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SPD30N03S2L-10G

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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