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SZESD8104MUTAG

ESDProtectionDiode

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

TLE8104E

SmartQuadChannelPowertrainSwitch

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

TPC8104-H

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

TPC8104-H

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(HighSpeedU-MOSII)

HighSpeedandHighEfficiencyDC?DCConverters LithiumIonBatteryApplications NotebookPCs PortableEquipmentApplications ?Smallfootprintduetosmallandthinpackage ?Highspeedswitching ?Smallgatecharge:Qg=17nC(typ.) ?Lowdrain?sourceONresistance:RDS(ON)=38m?(t

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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High-SideSwitchingApplications

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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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TPCC8104

Lithium-IonSecondaryBatteriesPowerManagementSwitches

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BipolarSmall-SignalTransistors

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TPCF8104

TOSHIBAFIELDEFFECTTRANSISTORSILICONPCHANNELMOSTYPE(U-MOS4)

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=21m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=9.6S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=?10μA(max)(VDS=?30V) ?Enhancementmode:Vth=?0.8to?2.0V(VDS=?10V,ID=?1mA

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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TPCF8104

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOS??

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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更多SPHE8104SW供應(yīng)商 更新時間2025-2-13 17:13:00

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