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SPI10N10

SIPMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPI10N10L

SIPMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP10N10

SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP10N10

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SPP10N10L

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SPP10N10L

SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPU10N10

SIPMOSPowerTransistor

Features ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SSFP10N10

StarMOSTPowerMOSFET

Good-Ark

GOOD-ARK Electronics

SSG10N10

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?ExtremelyLowQgdforSwitchingLosses ?100RgTested ?100AvalancheTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SSG10N10

N-ChEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SSG10N10

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

SSPR10N10-C

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

STUD10N10

SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

TSJ10N10AT

100VN-ChannelDTMOS

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光國(guó)微紫光國(guó)芯微電子股份有限公司

UTT10N10

10A,100VN-CHANNELMOSFET

■DESCRIPTION TheUTCUTT10N10isaN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithaminimumon-stateresistance,highswitchingspeedandultralowgatecharge.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalancheandcommutationmode.

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

WSP10N10

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

WSP10N10

PowerManagementinDC/DCConverter.

WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd

微碩半導(dǎo)體微碩半導(dǎo)體（深圳）有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SPI10N10

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    SIPMOS®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON
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更多SPI10N10供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-25 10:00:00

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