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SPLA11012	文件：976.56 Kbytes Page：2 Pages	Pushbutton switch, side actuation, illumination	APEX-ELECTRONICS Apex Electronics Co., Ltd	APEX-ELECTRONICS
11012	文件：401.4 Kbytes Page：1 Pages	TESTJACKS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
11012-R	文件：401.4 Kbytes Page：1 Pages	TESTJACKS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
ACV11012	文件：134.18 Kbytes Page：4 Pages	AUTOMOTIVELOWPROFILEMICRO-ISO/MICRO-280RELAY FEATURES ?Lowprofile: 22.5mm(L)×15mm(W)×15.7mm(H).886inch(L)×.591inch(W)×.618inch(H) ?Lowtemperaturerise Terminaltemperaturehasbeenreducedcomparedwithusingourconventionalproduct ?Lowsoundpressurelevel Noiselevelhasbeenreducedapprox.10dBcom	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國)有限公司	NAIS
ACV11012	文件：89.05 Kbytes Page：4 Pages	AUTOMOTIVELOWPROFILEMICRO-ISORELAYHeadlights	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下電器	Panasonic
ADJ11012	文件：142.7 Kbytes Page：9 Pages	1-pole/2-pole16ApolarizedpowerrelaysVarietyofcontactarrangements FEATURES 1.Varietyofcontactarrangements Widelineupof1FormC,1FormA,1FormB,2FormC,2FormA,2FormB,1FormA1FormB. 2.Latchingoperation Latchingviaapolarizedmagneticcircuitstructureallowsremoteoperationandlowerenergyconsumption 3.Compactwithhighc	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下電器	Panasonic
AHN11012	文件：136.52 Kbytes Page：6 Pages	Relayforcontrolpanelof1c10A,2c5Aand1a16A	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下電器	Panasonic
AHN11012	文件：136.5 Kbytes Page：6 Pages	Slimandcompactsize	IRF International Rectifier	IRF
EB-A11012-XX-B	文件：79.49 Kbytes Page：1 Pages	EUROBLOCK	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亞當(dāng)科技亞當(dāng)科技股份有限公司	ADAM-TECH
L-11012	文件：26.47 Kbytes Page：1 Pages	CURRENTSENSEINDUCTORS	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
MJ11012	文件：96.68 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ..designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. FEATURES: HighGainDarlingtonPerformance HighDCCurrentGainhFE=1000(Min)@lc=20A *MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MJ11012	文件：68.41 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJ11012	文件：54.14 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistors PowerTransistors TO-3Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
MJ11012	文件：157.15 Kbytes Page：4 Pages	DARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON High-CurrentComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighDCCurrentGain—hFE=1000(Min)@IC–20Adc ?MonolithicConstructionwithBuilt–inBaseEmitterShuntResistor ?JunctionTemperatureto+200°C	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJ11012	文件：157.15 Kbytes Page：4 Pages	30AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60.120VOLTS200WATTS High-CurrentComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@IC?20Adc ?MonolithicConstructionwithBuilt?inBaseEmitterShuntResistor ?JunctionTemperatureto+200C	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MJ11012	文件：140.07 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(30A,60-120V,200W) COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ...designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighGainDarlingtonPerformance ?HighDCCurrentGainhFE=1000(Min)@IC=20A ?MonolithicConstructionwithBuilt?inBaseEmitterShun	MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司	MOSPEC
MJ11012	文件：19.71 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTOR(SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERSSOLENOIDANDRELAYDRIVERS) SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERS SOLENOIDANDRELAYDRIVERS	WINGSWing Shing Computer Components 永盛電子永盛電子(香港)有限公司	WINGS
MJ11012	文件：121.43 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJ11012	文件：51.91 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=60V(Min.) ?HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min.)@IC=20A ?LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=3.0V(Max.)@IC=20A ?ComplementtoTypeMJ11011 APPLICATIONS ?Designedforuseasoutputdevicesincomple	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJ11012G	文件：121.43 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多SPLA11012供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 14:14:00

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