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TF9926B	文件：3.51073 Mbytes Page：5 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS Description TheTF9926Busesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.The complementaryMOSFETsmaybeusedtoformalevel shiftedhighside switch,andforahostofotherapplications. GeneralFeatures ●Highpowerandcurrenthandingcapability	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓鋒半導(dǎo)體深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司	TUOFENG
TM9926FC	文件：985.76 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
TM9926FS	文件：985.77 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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TSM9926DCS	文件：2.40563 Mbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
TSM9926DCS	文件：388.17 Kbytes Page：6 Pages	20VDualN-ChannelMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
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TSM9926DCSRL	文件：1.14664 Mbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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