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SPNA2712B	文件：976.56 Kbytes Page：2 Pages	Pushbutton switch, side actuation, illumination	APEX-ELECTRONICS Apex Electronics Co., Ltd	APEX-ELECTRONICS
SS2712	文件：390.17 Kbytes Page：9 Pages	HallLatch-HighSensitivity	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
SS2712ESOT	文件：390.17 Kbytes Page：9 Pages	HallLatch-HighSensitivity	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
SS2712EUA	文件：390.17 Kbytes Page：9 Pages	HallLatch-HighSensitivity	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
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TCD2712DG	文件：547.11 Kbytes Page：14 Pages	TOSHIBACCDLinearImageSensorCCD TheTCD2712DGisahighsensitiveandlowdarkcurrent7500 elements?3linesoutputCCDcolorlinearimagesensor. Thedevicecontainsarowof7500elements?3linesphotodiodes whichprovide24lines/mmacrossaA3sizepaper.Thedeviceis operatedby5.0Vpulseand10Vpowersupply.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TMD2712	文件：1.76911 Mbytes Page：54 Pages	ALSProximitySensorModule Features ?Tiny1mmx2mmx0.5mmmodule ?1.8Vpowersupplywith1.8VI2Cbus ?Sleepmode(0.7μA) ?VCSELIRemitter ?Integratedfactorycalibrated940nmIRVCSEL ?Crosstalkandambientlightcancellation ?Wideconfigurationrange ?Highsensitivity ?2channels(photopicALS+IR)	OSRAMOSRAM GmbH 艾邁斯歐司朗歐司朗光電半導體	OSRAM
TW2712	文件：324.55 Kbytes Page：2 Pages	TW2710andTW2712SingleBandGNSSAntennas	TALLYSMAN Tallysman Wireless Inc.	TALLYSMAN
UPA2712GR	文件：1.82772 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
UPA2712GR	文件：314.19 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2712GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=13mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?5.0A) RDS(on)2=21mΩMAX.(VGS=?4.5V,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPA2712GR	文件：89.53 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UPC2712T	文件：159.19 Kbytes Page：12 Pages	2.6GHzWIDEBANDAMPLIFIERSILICONBIPOLARMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT DESCRIPTION TheUPC2709TandUPC2712TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,a	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UPC2712T	文件：96.88 Kbytes Page：6 Pages	2.5GHzSILICONMMICWIDE-BANDAMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2709TandUPC2712TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,a	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UPC2712TB	文件：334.89 Kbytes Page：21 Pages	3.3V,SILICONGERMANIUMMMICWIDEBANDAMPLIFIER	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPC2712TB	文件：66.53 Kbytes Page：9 Pages	5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICWIDEBANDAMPLIFIER	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UPC2712TB	文件：285.69 Kbytes Page：20 Pages	5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICWIDEBANDAMPLIFIER	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UPC2712TB	文件：416.83 Kbytes Page：14 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT	CEL California Eastern Labs	CEL

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更多SPNA2712B供應商更新時間2025-1-17 15:30:00

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