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SPP11N60C3中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
SPP11N60C3規(guī)格書詳情
Feature
? New revolutionary high voltage technology
? Worldwide best RDS(on) in TO 220
? Ultra low gate charge
? Periodic avalanche rated
? Extreme dv/dt rated
? High peak current capability
? Improved transconductance
? 150 °C operating temperature
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
SPP11N60C3
- 功能描述:
MOSFET COOL MOS N-CH 600V 11A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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