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SPP11N60CFD

N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.44? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPP11N60CFD

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Reducedtrr,Qrr,andIRRM ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?LowswitchinglossesduetoreducedQrr ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS)

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SPP11N60CFD

Cool MOS??Power Transistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Intrinsicfast-recoverybodydiode ?Extremelowreverserecoverycharge

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP11N60CFD

Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP11N60CFD

Cool MOS Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP11N60CFD_07

Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP11N60CFD_09

Cool MOS Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPW11N60CFD

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤440m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPW11N60CFD

CoolMOS??PowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPW11N60CFD

CoolMOS??PowerTransistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Intrinsicfast-recoverybodydiode ?Extremelowreverserecoverycharge ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Qualifiedaccordi

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

STP11N60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

T11N60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

TSP11N60S

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SPP11N60CFD

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    CoolMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
2021+
TO-220
17704
原裝進(jìn)口假一罰十
 詢價(jià)
INFINEON
23+
TO220
6996
只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
22+
TO-220AB
9800
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
 詢價(jià)
Infineon
2320+
TO220
5000
只做原裝,特價(jià)清貨!
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
TO-220
8145
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價(jià)
INFINEON
10MY
TO-220AB
2000
原廠直銷
 詢價(jià)
INFINEON
23+
T0-220
7936
詢價(jià)
Infineon
23+
TO-220AB
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價(jià)
INFINEO
2020+
TO220
3
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價(jià)
INFINEON
2016+
TO-220
6000
公司只做原裝,假一罰十,可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價(jià)
更多SPP11N60CFD供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-27 14:04:00

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