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FMH19N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFETFeatures

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMH19N60ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMR19N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMR19N60ES

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FMR19N60ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMV19N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMV19N60ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FQA19N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=18.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FQA19N60

600VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQAF19N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=11.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
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16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
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TO-220
10000
原裝正品現(xiàn)貨
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一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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英飛凌
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更多SPP19N60CFD供應(yīng)商 更新時間2025-2-3 15:03:00

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