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SPP80N04S2-H4

OptiMOS Power-Transistor

Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP80N04S2-H4

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

IPB80N04S2-H4

OptiMOSPower-Transistor

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N-Channel40V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

SPB80N04S2-H4

OptiMOSPower-Transistor

Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    SPP80N04S2-H4

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 40V 80A TO-220

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    OptiMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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P-TO220-3
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更多SPP80N04S2-H4供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 15:30:00