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SQJ123ELP	文件：219.67 Kbytes Page：8 Pages	AutomotiveP-Channel12V(D-S)175?CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SQJ123ELP	文件：222.22 Kbytes Page：8 Pages	AutomotiveP-Channel12V(D-S)175?CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SQJ123ELP	文件：314.46 Kbytes Page：8 Pages	AutomotiveP-Channel12V(D-S)175°CMOSFET FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?AEC-Q101qualified ?100RgandUIStested ?Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SSM-123-L-DV-LC	文件：284.41 Kbytes Page：1 Pages	TIGERCLAW??SURFACEMOUNTSOCKET	Samtec Samtec, Inc	Samtec
STD123	文件：268.99 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Lowsaturationmediumcurrentapplication ●Extremelylowcollectorsaturationvoltage ●Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers ●HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability ●Lowonresistance:RON=0.6?(Max.)(IB=1mA） APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTr	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
STD123	文件：180.34 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Features ?Lowsaturationmediumcurrentapplication ?Extremelylowcollectorsaturationvoltage ?Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers ?HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability ?Lowonresistance:RON=0.6Ω(Max.)(IB=1mA)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
STD123	文件：182.66 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor Features ?Lowsaturationmediumcurrentapplication ?Extremelylowcollectorsaturationvoltage ?Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers ?HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability ?Lowonresistance:RON=0.6?(Max.)(IB=1mA)	AUK AUK corp	AUK
STD123	文件：180.34 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
STD123AS	文件：261.92 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
STD123AS	文件：157.7 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Features ?Highβ&lowsaturationtransistor. hFE=400Min.@VCE=1V,Ic=100mA ?Suitableforlargecurrentdrivedirectly. ?ApplicationforIREDDrivetransistorinremotetransmitter.	AUK AUK corp	AUK
STD123AS	文件：273.16 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Features ?Highβ&lowsaturationtransistor. ?hFE=400Min.@VCE=1V,Ic=100mA ?Suitableforlargecurrentdrivedirectly. ?ApplicationforIREDDrivetransistorin remotetransmitter.	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
STD123ASF	文件：262.91 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Features ?Highβ&lowsaturationtransistor. hFE=400Min.@VCE=1V,Ic=100mA ?Suitableforlargecurrentdrivedirectly. ?ApplicationforIREDDrivetransistorinremote transmitter.	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
STD123ASF	文件：190.23 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor Features ?Highβ&lowsaturationtransistor. hFE=400Min.@VCE=1V,Ic=100mA ?Suitableforlargecurrentdrivedirectly. ?ApplicationforIREDDrivetransistorinremotetransmitter.	AUK AUK corp	AUK
STD123ASF	文件：262.91 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
STD123N	文件：213.06 Kbytes Page：3 Pages	EpitaxialplanarNPNsilicontransistor Description ?Highcurrentapplication Features ?Extremelylowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.1V(Typ.)@IC=500mA,IB=50mA ?Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers ?HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability ?Lowonresistance:RON=0.6?(Max.)@IB=1mA	AUK AUK corp	AUK
STD123S	文件：1.57374 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Lowsaturationmediumcurrentapplication Extremelylowcollectorsaturationvoltage Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability Lowonresistance:RON=0.6Ω(Max.)(IB=1mA)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
STD123S	文件：252.33 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Features ?Lowsaturationmediumcurrentapplication ?Extremelylowcollectorsaturationvoltage ?Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers ?HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability ?Lowonresistance:RON=0.6Ω(Max.)(IB=1mA)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
STD123S	文件：944.74 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Lowsaturationmediumcurrentapplication ●Extremelylowcollectorsaturationvoltage ●Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers ●HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability ●Lowonresistance:RON=0.6?(Max.)(IB=1mA)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI
STD123S	文件：70.13 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor Features ?Lowsaturationmediumcurrentapplication ?Extremelylowcollectorsaturationvoltage ?Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers ?HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability ?Lowonresistance:RON=0.6?(Max.)(IB=1mA)	AUK AUK corp	AUK
STD123S	文件：252.33 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SPT-123
功能描述：
烙鐵 COVER ASSEMBLY SP-100T
RoHS：
否
制造商：
Weller
產(chǎn)品：
Soldering Stations
類型：
Digital, Iron, Stand, Cleaner
瓦特：
50 W
最大溫度：
+ 850 F
電纜類型：
US Cord Included

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市弘為電子有限公司	SPT130	PREMMAGNETI	24+	原裝進(jìn)口原廠原包接受訂貨	208	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	SPT135-0R7	DELTA	20+	電感器	682000	電感原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳龐田科技有限公司	SPT135-0R7	DELTA/臺(tái)達(dá)	2023+	CDEP134	48000	AI智能識(shí)別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站	詢價(jià)
深圳市宏橋達(dá)半導(dǎo)體有限公司	SPT-14H7872-L-1	SPT	22+新年份		13898	原廠渠道/可含稅特價(jià)出/誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)	詢價(jià)
上海市鑫鴻達(dá)電子	SPT15A	Bogen Communications- Inc.	2022+		64	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
艾睿國(guó)際（香港）有限公司	SPT15N120F1	SPTECH	2112+	PG-TO247-3	105000	30個(gè)/管一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	SPT15N120F1	SPTECH	TO-247	22+	56000	全新原裝進(jìn)口,假一罰十	詢價(jià)
深圳市弘揚(yáng)芯城科技有限公司	SPT15N120F1	SPTECH(深圳質(zhì)超)	23+	TO2473	6000	誠(chéng)信服務(wù)，絕對(duì)原裝原盤	詢價(jià)
深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司	SPT15N120F1	SPTECH質(zhì)超	2407+	TO-247	30098	全新原裝!倉庫現(xiàn)貨,大膽開價(jià)!	詢價(jià)
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	SPT15N120F1		24+	N/A	56000	一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)

更多SPT-123供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 13:30:00

詳細(xì)參數(shù)

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