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SQ2301ES-T1_GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET P CH W/D 20V 3.9A SOT23金芯世紀(jì)電子

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  • 廠家型號(hào)：

    SQ2301ES-T1_GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY/威世科技

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    100000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-23-3

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    22+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-15 20:00:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：SQ2301ES-T1_GE3品牌：VISHAY/威世

代理渠道/只做原裝/可含稅

  • 芯片型號(hào)：

    SQ2301ES-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    472.29 kb

  • 資料說(shuō)明：

    P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SQ2301ES-T1_GE3

  • 制造商：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    MOSFET P CH W/D 20V 3.9A SOT23

  • 功能描述：

    MOSFET, P CH, W/D, 20V, 3.9A, SOT23

  • 功能描述：

    MOSFET, P CH, W/D, 20V, 3.9A, SOT23; Transistor

  • Polarity：

    P Channel; Continuous Drain Current

  • Id：

    -3.9A; Drain Source Voltage

  • Vds：

    -20V; On Resistance

  • Rds(on)：

    0.08ohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs：

    -4.5V; Power Dissipation

  • Pd：

    3W ;RoHS

  • Compliant：

    Yes

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳小姐

  • 手機(jī)：

    18118707592

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23616010

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座35層B03

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