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SQ4431EY-T1-GE3

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS=-30V,ID=-9A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SQ4431EY-T1_GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 10.8A 6W P-Ch Automotive

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay(威世)
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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更多SQ4431EY-T1_GE3供應(yīng)商 更新時間2025-1-21 23:00:00

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