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APT7M120B

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

APT7M120B

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MicrosemiMicrosemi Corporation

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Q7M120

HighflexibilityQsevenv2.0compliantdesign

AXIOMTEKAxiomtek Co., Ltd.

艾訊科技艾訊股份有限公司

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更多SQCB7M120JAJWE供應(yīng)商 更新時間2024-11-19 10:08:00

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