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SQD19P06-60L-GE3

iscP-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=-60V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposesw

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SQD19P06-60L-GE3

P-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SQD19P06-60L-GE3

AutomotiveP-Channel60V(D-S)175°CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

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更多SQD19P06-60L-GE3-VB供應商 更新時間2025-3-11 11:06:00

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