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SQD19P06-60L-GE3

isc P-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=-60V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposesw

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SQD19P06-60L-GE3

Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SQD19P06-60L-GE3

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

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更多SQD19P06-60L_GE3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-10 20:00:00

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