SQD50P04-13L_GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 40V 50A 83W P-Ch Automotive柯?tīng)柣娮?/h1>

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• 廠(chǎng)家型號(hào)：

  SQD50P04-13L_GE3

• 產(chǎn)品分類(lèi)：

  芯片

• 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

  VISHAY/威世

• 庫(kù)存數(shù)量：

  98539

• 產(chǎn)品封裝：

  TO-252

• 生產(chǎn)批號(hào)：

  23+24

• 庫(kù)存類(lèi)型：

  常用庫(kù)存

• 更新時(shí)間：

  2025-2-4 10:18:00

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原廠(chǎng)料號(hào)：SQD50P04-13L_GE3品牌：VISHAY/威世

主營(yíng)VISHAY威世原裝正品現(xiàn)貨

• 芯片型號(hào)：

  SQD50P04-13L-GE3

• 規(guī)格書(shū)：

  下載

• 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

  VISHAY【威世科技】詳情

• 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

  Vishay Siliconix

• 中文名稱(chēng)：

  威世科技半導(dǎo)體

• 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

  10 頁(yè)

• 文件大?。?/span>

  171.07 kb

• 資料說(shuō)明：

  Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 ?C MOSFET

產(chǎn)品屬性

• 類(lèi)型

  描述

• 型號(hào)：

  SQD50P04-13L_GE3

• 功能描述：

  MOSFET 40V 50A 83W P-Ch Automotive

• RoHS：

  否

• 制造商：

  STMicroelectronics

• 晶體管極性：

  N-Channel

• 汲極/源極擊穿電壓：

  650 V

• 閘/源擊穿電壓：

  25 V

• 漏極連續(xù)電流：

  130 A 電阻汲極/源極

• RDS（導(dǎo)通）：

  0.014 Ohms

• 配置：

  Single

• 安裝風(fēng)格：

  Through Hole

• 封裝/箱體：

  Max247

• 封裝：

  Tube