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SQJ110EP	文件：184.2 Kbytes Page：6 Pages	Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES ?TrenchFET?GenIVpowerMOSFET ?AEC-Q101qualified ?100RgandUIStested ?Qgd/Qgsratio	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SQJ110EP_V01	文件：184.2 Kbytes Page：6 Pages	Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES ?TrenchFET?GenIVpowerMOSFET ?AEC-Q101qualified ?100RgandUIStested ?Qgd/Qgsratio	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SQJ110EP-T1_GE3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶描述：AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SQS110ENW	文件：201.7 Kbytes Page：7 Pages	AutomotiveN-Channel100V(D-S)175°CMOSFET FEATURES ?TrenchFET?GenIVpowerMOSFET ?AEC-Q101qualified ?100RgandUIStested ?Wettableflankterminals ?Lowthermalresistancewith0.75mmprofile ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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SR110	文件：64.599 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
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SR110	文件：527.58 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
SR110	文件：188.83 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.SchottkyBarrierRectifiers Features ◇Lowpowerloss,highefficiency. ◇Highcurrentcapability,LowVF. ◇Highreliability ◇Highsurgecurrentcapability. ◇Epitaxialconstruction. ◇Guard-ringfortransientprotection. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequency inventor,freewheeling,andpolarity protecti	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
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深圳市正納電子有限公司	SQJ110EP-T1_GE3	Vishay	NEW-	MOSFETs	100000	Trans MOSFET N-CH 100V 170A T/R	詢價(jià)
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更多SQJ110EP供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 13:40:00

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