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SS2406KUA	文件：339.13 Kbytes Page：8 Pages	Hall Latch - High Sensitivity	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
SS2406LSOT	文件：339.13 Kbytes Page：8 Pages	HallLatch-HighSensitivity	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
SS2406LUA	文件：339.13 Kbytes Page：8 Pages	HallLatch-HighSensitivity	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
TPIC2406	文件：208.82 Kbytes Page：13 Pages	INTELLIGENT-POWERQUADMOSFETLATCH	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
TW2406	文件：325.14 Kbytes Page：2 Pages	TW2406/TW2408EmbeddedGPS/GLONASSAntenna	TALLYSMAN Tallysman Wireless Inc.	TALLYSMAN
UPC2406AHF	文件：320.4 Kbytes Page：16 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES ?Built-inthesaturationprotectioncircuitoftheoutputtransistor. ?Thecapabilityofoutputcurrentis1A ?Highaccuracyofoutputvoltage. \|DVO\|￡±2(TJ=25°C) \|DVO\|￡±3(0°C￡TJ￡125°C) ?Lowdropoutvoltage. VDIF￡1V(IO￡1A,TJ￡125°C) ?Built-in	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPC2406AHF	文件：103.95 Kbytes Page：14 Pages	THREETERMINALLOWDROPOUTVOLTAGEREGULATOR SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UPG2406TB	文件：245.25 Kbytes Page：15 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES ?Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=1.8to5.3V(2.7VTYP.) :Vcont(L)=?0.2to+0.2V(0VTYP.) ?Lowinsertionloss:Lins=0.40dBTYP.@f=1.0GHz,Vcont(H)=2.7V,Vcont(L)=0V :Lins=0.47dBTYP.@f=2.5GHz,Vcont(H)=2.7V,Vcont(L)=0V ?Highisolati	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPG2406TB	文件：123.16 Kbytes Page：13 Pages	0.01to3.0GHzSPDTSWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UPG2406TK	文件：123.02 Kbytes Page：13 Pages	0.01to3.0GHzSPDTSWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UPG2406TK	文件：554.25 Kbytes Page：12 Pages	0.01to3.0GHzSPDTSWITCH	CEL California Eastern Labs	CEL
UPG2406TK	文件：245.15 Kbytes Page：15 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES ?Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=1.8to5.3V(2.7VTYP.) :Vcont(L)=?0.2to+0.2V(0VTYP.) ?Lowinsertionloss:Lins=0.40dBTYP.@f=1.0GHz,Vcont(H)=2.7V,Vcont(L)=0V :Lins=0.47dBTYP.@f=2.5GHz,Vcont(H)=2.7V,Vcont(L)=0V ?Highisolati	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
V2406A	文件：1.50868 Mbytes Page：6 Pages	Intel3rdGenCoreCPU,EN50155railwaycomputer	moxaMOXA 臺灣摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
V2406C	文件：2.14116 Mbytes Page：7 Pages	7thGenIntelCoreCPUrailwaycomputers	moxaMOXA 臺灣摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
VBL2406	文件：417.97 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel40-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
VN2406	文件：776.77 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
VN2406	文件：442.17 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimped	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN2406	文件：139.84 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-Mode Features ?Freefromsecondarybreakdown ?Lowpowerdriverequirement ?Easeofparalleling ?LowCISSandfastswitchingspeeds ?Excellentthermalstability ?IntegralSource-Draindiode ?Highinputimpedanceandhighgain ?ComplementaryN-andP-channeldevices Applications ?Motor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
VN2406	文件：559.47 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN2406D	文件：54.79 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel240-V(D-S)MOSFETs FEATURES ●LowOn-Resistance:3.5Ω ●SecondaryBreakdownFree:260V ●LowPower/VoltageDriven ●LowInputandOutputLeakage ●ExcellentThermalStability BENEFITS ●LowOffsetVoltage ●Full-VoltageOperation ●EasilyDrivenWithoutBuffer ●LowErrorVoltage ●NoHigh-Temperature“	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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