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SS8050-G

GeneralPurposeTransistor

GeneralPurposeTransistor RoHSDevice

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

SS8050-H

NPNTransistors

NPNTransistors Features ●CollectorCurrent:IC=1.5A

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風微電子廣東佑風微電子有限公司

SS8050HQLTIG

GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

SS8050-J

NPNTransistors

NPNTransistors Features ●CollectorCurrent:IC=1.5A

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風微電子廣東佑風微電子有限公司

SS8050-L

NPNTransistors

NPNTransistors Features ●CollectorCurrent:IC=1.5A

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風微電子廣東佑風微電子有限公司

SS8050LTIG

GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

SS8050T

NPNSiliconGeneralPurposeTransistor

FEATURES Powerdissipation PCM:1W CollectorCurrent ICM:1.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operating&storagejunctiontemperature Tj,Tstg:-55°C~+150°C

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SS8050-TA

Plastic-EncapsulateTransistors

FS

First Silicon Co., Ltd

SS8050W

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●CollectorCurrent.(IC=1.5A） ●ComplementaryToSS8550W. ●Collectordissipation:PC=200mW(TC=25℃) APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世紀微電子常州銀河世紀微電子股份有限公司

SS8050W

NPNSiliconGeneralPurposeTransistor

FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W CollectorCurrent ICM:1.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operating&storagejunctiontemperature Tj,Tstg:-55°C~+150°C

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SS8050W

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世紀微電子常州銀河世紀微電子股份有限公司

SS8050W

TRANSISTOR(NPN)

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ComplimentarytoSS8550W

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

SS8050W

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●CollectorCurrent.(IC=1.5A） ●ComplementaryToSS8550W. ●Collectordissipation:PC=200mW(TC=25℃) APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.

DSK

Diode Semiconductor Korea

ST8050

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications. EspeciallysuitableforAF-driverstages andlowpoweroutputstages. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司

ST8050U

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications. EspeciallysuitableforAF-driverstages andlowpoweroutputstages.

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司

STC8050

NPNSiliconTransistor

NPNEpitaxialSiliconTransistor 2WOutputAmplifierofPortableRadiosin ClassBPush-pullOperation. ?ComplimentarytoSTC8550 ?CollectorCurrent:IC=1.5A ?CollectorPowerDissipation:PC=2W(TC=25°C)

SUNTAC

Suntac Electronic Corp.

STC8050N

NPNSiliconTransistor

Descriptions ?Highcurrentapplication ?RadioinclassBpush-pulloperation Feature ?ComplementarypairwithSTA8550N

AUK

AUK corp

STC8050SF

NPNSiliconTransistor

Descriptions ?Highcurrentapplication ?RadioinclassBpush-pulloperation Feature ?ComplementarypairwithSTA8550SF

AUK

AUK corp

STK8050

BLOCKDIAGRAMOFICS

?ThisisthebasicblockdiagramoftheinsidecircuitofIC.Inan actualcircuit,theremaybesometimesidleterminalsorsomedifferent functionsotherthanthebasiccircuit

PanasonicPanasonic Corporation

松下松下電器

STS8050

NPNSiliconTransistor

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SS8050DTA_Q

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT NPN/25V/1.5A/160-300

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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21+
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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更多SS8050DTA_Q供應(yīng)商 更新時間2024-11-15 10:59:00

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