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SSM3J115TU

Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High-Speed Switching Applications Power Management Switch Applications

High-SpeedSwitchingApplications PowerManagementSwitchApplications ?1.5Vdrive ?LowON-resistance:Ron=353m?(max)(@VGS=?1.5V) Ron=193m?(max)(@VGS=?1.8V) Ron=125m?(max)(@VGS=?2.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3J115TU

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SSM3J115TU

  • 功能描述：

    MOSFET INCORRECT MOUSER P/N 3Pin

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多SSM3J115TU供應商 更新時間2025-3-29 15:14:00

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