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SSM3J332R_V01	文件：351.56 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI) ○PowerManagementSwitchApplications ?1.8-Vdrive ?LowON-resistance:RDS(ON)=144mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=72.0mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=50.0mΩ(max)(@VGS=-4.5V) RDS(ON)=42.0mΩ(max)(@VGS=-10V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA

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SSM3J332R_V01

文件：351.56 Kbytes

Page：6 Pages

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)

○PowerManagementSwitchApplications ?1.8-Vdrive ?LowON-resistance:RDS(ON)=144mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=72.0mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=50.0mΩ(max)(@VGS=-4.5V) RDS(ON)=42.0mΩ(max)(@VGS=-10V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TOSHIBA

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更多SSM3J332R_V01供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-16 11:06:00

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