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SSM3J338R_V01

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

Applications ?PowerManagementSwitches Features (1)1.8Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=26.3mΩ(typ.)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=20.1mΩ(typ.)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=15.9mΩ(typ.)(@VGS=-4.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多SSM3J338R_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00