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SSM6J207FE

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6J207FE

High-SpeedSwitchingApplications

○High-SpeedSwitchingApplications ?4Vdrive ?LowON-resistance:Ron=491m?(max)(@VGS=?4V) Ron=251m?(max)(@VGS=?10V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多SSM6J207FE/LF(CA供應(yīng)商 更新時間2025-1-18 14:06:00

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