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SSM6J212FE

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6J212FE

Field-EffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOS??

○PowerManagementSwitchApplications ?1.5-Vdrive ?LowON-resistance:RDS(ON)=94.0m?(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=65.4m?(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=49.0m?(max)(@VGS=-2.5V)

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東芝株式會社東芝

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更多SSM6J212FELF(CA供應(yīng)商 更新時間2025-2-13 14:00:00

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