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SSM6J213FE

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)

○PowerManagementSwitchApplications ?1.5-Vdrive ?LowON-resistance:RDS(ON)=250m?(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=178m?(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=133m?(max)(@VGS=-2.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SSM6J213FE

  • 功能描述：

    MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA
2018+
SOT-563
11256
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TOSHIBA
23+
SOT-563
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TOSHIBA
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SOT-563
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TOSHIBA
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SOT-563
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TOSHIBA
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SOT-563
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TOSHIBA/東芝
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SMD
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TOSHIBA/東芝 SSM6J213FE SMD 1333+
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TOSHIBA/東芝
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SOT-563
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TOSHIBA/東芝
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SOT-563
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
更多SSM6J213FE供應(yīng)商 更新時間2025-1-18 16:59:00

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