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SSM6J502NU

MOSFETsSiliconP-ChannelMOS

1.Applications ?PowerManagementSwitches 2.Features (1)1.5-Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=60.5mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=38.4mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=28.3mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=23.1mΩ(max)(@VGS=-4.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6J502NU

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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PowerManagementSwitchApplications

PowerManagementSwitchApplications ??????? ?1.5Vdrive ?LowON-resistance:RDS(ON)=60.5mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=38.4mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=28.3mΩ(max)(@VGS=-2.5V)

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更多SSM6J502NULF(T供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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