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SSM6K406TU

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM6K406TU

TOSHIBAField-EffectTransistorSiliconN-ChannelMOSType

○High-SpeedSwitchingApplications ?4.5-Vdrive ?LowON-resistance:Ron=38.5mΩ(max)(@VGS=4.5V) Ron=25.0mΩ(max)(@VGS=10V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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原裝正品 歡迎咨詢
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更多SSM6K406TU,LH供應(yīng)商 更新時間2025-1-25 9:30:00