SSM6L820R_V01中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	SSM6L820R_V01
功能描述	MOSFETs Silicon P-/N-Channel MOS
文件大小	555.77 Kbytes
頁面數(shù)量	12 頁
生產(chǎn)廠商	Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱	TOSHIBA【東芝】
中文名稱	株式會(huì)社東芝官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-1-23 23:00:00

1. Applications

? Power Management Switches

2. Features

(1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list)

(2) Low drain-source on-resistance

Q1 N-channel:

RDS(ON) = 39.1 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)

RDS(ON) = 53 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)

RDS(ON) = 82 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)

Q2 P-channel:

RDS(ON) = 45 mΩ (max) (@VGS = -10 V)

RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

RDS(ON) = 76 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 157 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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